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乱世王者情缘特效:SENTECH SI500PPD 平行平板式等離子增強PECVD沉積設備

sentech SI500PPD 平行平板式等離子增強PECVD沉積設備
Process flexibility工藝靈活
SI500PPD適用于室溫至350°C范圍內SiO2, SiNx, SiOxNy a-Si和薄膜沉積標準工藝。

Vacuum loadlock預真空室
SI 500 PPD 具有真空預裝片系統、干泵來實現無油、高產能和高潔凈度沉積工藝。
SENTECH control software SENTECH控制軟件
控制軟件包括模擬用戶界面,參數窗口,工藝程序編輯器,數據記錄和用戶管理等???。

SI500 PPD是PECVD制備介質膜、a-Si SiC和其他薄膜的典型設備,配備有平板電容耦合等離子源、預真空室、可控溫電極、可選擇的低混頻,全方位控制無油真空系統,采用遠程現場總線技術的SENTECH控制軟件,以及用戶友好的操作界面來實現操作。
SI500 PPD可以進行最大200mm的晶圓片刻蝕。配有單片預真空腔室,即保證了工藝穩定性,又可以使工藝靈活切換。
SI500PPD PECVD機臺的適用于室溫至350℃條件下沉積SiO2, SiNx, SiONx, 和a-Si薄膜,也可實現TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態或氣態源沉積其它材料。
SI500 PPD 尤其適用于沉積刻蝕掩膜用介質膜、薄膜和介電膜的沉積。
SENTECH面向高靈活性和高產能刻蝕和沉積系統提供各種級別的自動化裝置,從真空裝片系統到最大6端口的工藝腔室裝置。SI500 PPD同樣可以作為多腔室配置中的工藝???。