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乱世王者谁带双歼灭好:SENTECH SI500D ICPECVD(ICP-PECVD)電感耦合增強型等離子沉積系統

sentech SI500D ICPECVD(ICP-PECVD)電感耦合增強型等離子沉積系統
Exceptional high density plasma高密度等離子體
SI500D 具有優良的等離子體特性,例如高密度,低離子能量,沉積介質膜時低壓強等。
Planar ICP plasma source平板ICP等離子源
SENTECH專有的平板三螺旋天線(PTSA) 等離子源能實現高效低功率耦合
Outstanding deposition properties 優良的沉積特性
沉積的薄膜具有損傷少、擊穿電壓高、應力低,對襯底無損傷,極低表面態密度,能低于100°C的沉積等優良特性。
Dynamic temperature control 動態溫控
襯底電極結合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進行動態溫控,能提供穩定的工藝條件,溫度范圍為室溫至350 °C。
SI500D等離子增強化學氣相沉積系統可以進行介質膜、α-硅、SiC和其他材料的沉積。

SI500D具有PTSA等離子源、分開式反應氣體進氣系統,動態襯底電極溫控,全面控制真空系統,采用遠程現場控制總線技術的SENTECH控制軟件,以及友好用戶操作界面來操作。
SI500D可以在最大尺寸為200mm的多種晶圓片上的進行沉積。單片真空裝片裝置保證了工藝條件穩定性,同時允許工藝的靈活切換。
SI 500D型PECVD設備適用于室溫至350℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積,同時可實現TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態或氣態源沉積其它材料,尤其適合于有機材料上高效?;げ隳ず吞囟ㄎ露認攣匏鶘碩芻さ某粱?。
SENTECH面向高靈活性和高產能刻蝕和沉積系統提供各種級別的自動化裝置,從真空裝片系統到最大6端口的工藝腔室裝置。SI500同樣可以作為多腔室配置中的一個工藝???。