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股票代碼:002819

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乱世王者聊天logo代码:Enli MV-IS CCD、CMOS、image sensor圖像傳感器測試系統

enli MV-IS CCD、CMOS、image sensor圖像傳感器測試系統
針對COMS,CCD等影像傳感器開發,適合多種規格的芯片傳感器的量子效率測量。

1.可量測單一像素點的量子效率。
2.可量測全數組像素量子效率。
3.可產生各種所需單色光均勻光源,自動化校正各單色光、特定單色光入射光子數。
4.選配:可加配CRA載臺,用以測試chief ray angle。
5.選配:軟件可配合用戶需求修改。
6.為全自動化設計,操作簡易。

主要可測量的參數:
1.系統增益System gain(K)
2.量子效率Quantum efficiency
3.飽和照射光子數
4.最小可探測照射光子數
5.動態范圍(DR)
6.暗電流
7.線性度和線性誤差Linear-Error
8.光電響應不均勻度PRNU
9.暗信號不均勻度 DSNU

系統優勢:
QE-IS系統采用光焱科技研發多年的單色光均光系統具備下列多項優勢:
  • 高均勻度
    可產生高均勻度的單色光光斑,在10x10mm2面積內均勻度可以>99%,在20x20mm2面積內仍可維持在>98%。與積分球系統相較,具有更佳的均勻度表現。

    *QE-IS均光面的光強分布圖。

  • 高光強度、高訊噪比
    QE-IS高效率均光系統,以550nm單色光為例,在QE-IS系統光均面的光強度可>5 uW/cm2,相較于積分球系統的單色光強僅1x10-8 uW/cm2,兩者差距千萬倍,QE-IS系統量測具備絕佳的訊噪比,可精確測出感光組件的量子效率等相關光學特性。

  • 可作單像素QE量測
    因QE-IS單色光強度足夠(5 uW/[email protected]),打在1 um的像素單元,產生的光電流約在20 pA,相較于積分球系統產生的單一像素光電流在sub-fA以下,QE-IS系統可直接用于量測數組感光組件上,任何單一像素的量子效率。

  • 可作全數組像素QE量測
    除單一像素量測,QE-IS可整合或是被整合于使用者自行開發的感光組件的數字電路訊號,以量測全數組像素QE。

  • 可作CRA量測
    QE-IS的均勻單色光發散角度< 5度,相較積分球的發散角度 >90度,搭配選配的旋轉平臺,即可量測CRA(Chief Ray Angle)特性。無需額外添購系統,方便整體的量測。
QE-IS與傳統積分球系統的特性比較表

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QE-IS 光學系統

傳統積分球系統

光均面均勻度
(10 mm x 10 mm)

> 99 %

> 99%

光均面位置

距均光系統出口300 mm

積分球開口處

光均面光強度

> 5 uW/cm2

1x10-8 uW/cm2 (1米積分球)

單像素QE量測

可(光強足夠)

否(光強度過低)

發散角度 (半角)

< 5度

> 90度

可否量測CRA



產品規格
1.適用影像組件尺寸: 1/4"、1/3"、1/2"、2/3"、1"
2.單色光光譜范圍: 200~1100 nm (可擴充)
3.均勻光源規格: 10 mm x 10 mm或更大
4.光均勻度> 99 %
5.單色光源角度: < 2.50 (半角)
6.最小波長步進分辨率:0.1 nm
7.波長FWHM 可做0.1~30 nm調整
8.CRA角度精度≦1度


*QE 量測結果


*CRA 量測結果